產(chǎn)品中心
聯(lián)系我們
手機(jī)： 0532-86625732
郵箱： mamie_chm@126.com
地址： 青島市膠州市上合示范區(qū)閩江路60號(hào)
設(shè)備名稱(chēng)：分子束外延（MBE）
設(shè)備用途：
MBE是生長(zhǎng)高純薄膜晶體的一種頂尖的薄膜生長(zhǎng)手段，相比其他生長(zhǎng)方法具有較高的優(yōu)越性，可以在原子層量級(jí)精確控制薄膜厚度和摻雜度，可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)人為生長(zhǎng)進(jìn)行能帶工程的剪裁，可以生長(zhǎng)量子點(diǎn)、量子阱、二維超晶格等。
可生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)
光學(xué)器件（激光器、探測(cè)器、可飽和吸收鏡、超輻射發(fā)光二極管等）
電學(xué)器件（HEMT，pHEMT,HBT等）
主要規(guī)格及技術(shù)指標(biāo)
生長(zhǎng)室最高工作溫度800℃；可生長(zhǎng)GaAs，AlAs，InAs，InP等III-V族材料，可進(jìn)行Be，Si、C等摻雜；生長(zhǎng)室真空度優(yōu)于5E-11Torr，兼容2inch、3inch、4inch、6inch
